專利名稱：原位沉積CuInS2膜層的方法及包含此膜層的太陽能元件（中華民國發明專利第I391505號）

專利授權與讓售

	年度(國民年)(Year)：102

	核准國家(Country)：中華民國

	專利名稱(Title)：原位沉積CuInS2膜層的方法及包含此膜層的太陽能元件

	證書號碼(Number)：I391505

	專利類型(Type)：發明

	專利期間(Term)：2013-04-01~2029-09-06

摘要 (Abstract)
	在此揭示一種原位形成CuInS2膜層的方法及其用途。所揭示方法特徵是在保持真空不破的情況下，藉由熱蒸鍍形成具有2層結構的Cu-In薄膜或是具有6層結構的Cu-In積膜，經過熱處理及硫化反應而形成CuInS2膜層。此CuInS2膜層可用來製造太陽能元件，供後續應用。