專利名稱：光電元件及其製造方法（中華民國發明專利第I538272號）

專利授權與讓售

	年度(國民年)(Year)：105

	核准國家(Country)：中華民國

	專利名稱(Title)：光電元件及其製造方法

	證書號碼(Number)：I538272

	專利類型(Type)：發明

	專利期間(Term)：2016-06-11~2029-12-01

摘要 (Abstract)
	本案重點在於將N type的矽奈米線,藉由熱壓方式插入高分子薄膜(P3HT)中,形成矽奈米線(SiNWs)/P3HT為主動層的混合式太陽能電池。矽奈米線的成長方式是可大面積化的氣－液－固法(VLS),使用6”的大型LPCVD裝置。直立式的奈米線可以提供電子傳輸的路徑,減少電子電洞對再結合的機會,並提升開路電壓(Voc)及短路電流(Isc),進而提升光電轉換效率。